МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических...

Main
Technique - Electronics: VLSI
МОП-СБИС. Моделирование элементов и...

МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов

Антонетти П. (ред)

0 / 0

دا کتاب تاسو ته څنګه خواښه شوه؟

د بار شوي فایل کیفیت څه دئ؟

تر څو چې د کتاب کیفیت آزمایښو وکړئ، بار ئې کړئ

د بار شوو فایلونو کیفیتی څه دئ؟

درجه (قاطیغوری(:

Technique - Electronics: VLSI

کال:

1988

ژبه:

russian

صفحه:

495

ISBN 10:

5256001302

ISBN 13:

9785256001308

فایل:

DJVU, 7.75 MB

IPFS:

,

russian, 1988

په آن لاین ډول لوستل

کاپی کول (djvu, 7.75 MB)

ته بدلون په کار دي

ته بدلون ناکام شو

ممکن تاسی علاقمند شی

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Любов, Борис Яковлевич — Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах

Поут Дж.М. (ред) — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Арсентьев А.В. — Математическое моделирование технологических процессов и интегральных схем

Реньян В.Р. — Технология полупроводникового кремния

Фистуль В.И. — Амфотерные примеси в полупроводниках

Под ред. Дж.М. Поута и др.; Пер. с англ. Н.К. Мышкина и др.; Под ред. А.А. Углова — Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. — Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Каменская А.В., Дикарева Р.П. — Технологические процессы в микроэлектронике

Зятьков И.И., Юрченко Е.П. — Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем

Джафаров Т.Д. — Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах

— Вторая конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. г. Москва, 23-25 октября 1972 г

Захарова И.Б. — Физические основы микро - и нанотехнологий

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Рейви К. — Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Колобов Н.А., Самохвалов М.М. — Диффузия и окисление полупроводников

Земсков В.С. — Легированные полупроводниковые материалы

Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. — Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Тилл У.С., Лаксон Д.Т. — Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление

Быкадырова Галина Владимировна, Ткачев Александр Юрьевич, Бормонотов Евгений Николаевич, Битюцкая Лариса Александровна — Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники

Быкадорова Галина Владимировна, Ткачев Александр Юрьевич — Практикум по курсу "Проектирование и технология электронной компонентной базы"

Романовский М. Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Элементы кремниевых биполярных ИС

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Нелаев, В. В. — Работа в среде пакета ATHENA для проектирования технологии интегральных микросхем : учеб. пособие по дисциплине “Основы САПР в микроэлектронике” для студентов специальностей I-41 01 02 “Микро- и наноэлектр. технологии и системы”, I-41 01 03 “Квант. информ

Пачинин, В. И. — Расчет и проектирование полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем. Физика полупроводниковых приборов (часть 4) : метод. указания и контр. задания для студентов специальностей I-42 01 01 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы» и I-4

Бургер Р., Донован Р. (ред.) — Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Анохин В.З., и др. — Практикум по химии и технологии полупроводников

Никоненко В.А. — Моделирование в среде MathCAD. Практикум

Смирнов Л.С. (ред.) — Вопросы радиационной технологии полупроводников

Вавилов, Киселев, Мукашев. — Дефекты в кремнии и на его поверхности

Маллер Р., Кейминс Т. — Элементы интегральных схем

Сугано Т.,Икома Т.,Такэсиси Е. — Введение в микроэлектронику

مهمي جملي

диффузии

концентрации

окисления

уравнения

процесса

приборов

моделирования

примесей

распределения

процессов

поверхности

уравнение

концентрация

уравнений

зависимость

коэффициент

напряжения

распределение

имплантации

элементов

дефектов

результаты

значения

пуассона

скорости

температуры

подложки

носителей

различных

результате

диффузия